万宁专业承接空气能工程品牌企业「多图」

半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。原理概述被摄景物通过摄像机的光学系统在光电靶上成像，由于光像各点亮度不同，因而使靶面各单元受光照的强度不同。电从原子中逃逸出来,必须吉凶服原子的束缚而做功，而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度,从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。

如果入射光强度太高，导致器件内电流太大，以至于电阴极和倍增极因发射二分解，就会造成光电倍增管的永1久性波坏。因此，使用光电倍增管时，应避免强光直接入射。当电子束接触到靶面某个单元时，使阴极、光电靶、负载电阻RL及电源E构成一个回路。光电倍增管一般用来测弱光信号。光电池是把光能直接变成电能的器件，可作为能源器件使用，如卫1星上使用的太阳能电池。它也可作为光电子探测器件。光电二极管有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管两种。半导体pn结区附近成为耗尽层，该层的两侧是相对高的空间电荷区，而耗尽层内通常情况下并不存在电子和空穴。

只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子(电子-空穴对)，载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。光生载流子的数量与光强度有关，因此，反向饱和电流会随着光强的变化而变化，从而可以把光信号的变化转为电流及电压的变化。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等CCD(Charge Coupled Device)即电荷耦合器件，通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输，在其输出端产生一时序信号。随着科技的进步，CCD技术日臻完善，已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络1电话等领域。

应用随着传统燃料能源的减少以及对环境造成的危害也越来越严重 ,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈，越来越多的国家制定了大力发展太阳能的计划。1、多接面、多能隙、多能带结构，使用不同能隙的材料来吸收不同波长的光子。例如，美国的“ 光伏建筑计划”、欧洲的“百万屋顶光伏计划” ，日本的“朝日计划 ” ，以及我国发展的“光明工程 ”等都极大地促进了太阳能的发展。当前太阳能电池产品类型主要有单晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半导体和叠层太阳能电池等，主要应用在以下领域。